دیتاشیت SI7456DP-T1-E3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SI7456DP-T1-E3
|
| حجم فایل |
88.186
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
11
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI7456DP-T1-E3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
1.9W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
44nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Continuous Drain Current (Id):
5.7A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
25mΩ@10V,9.3A
-
Package:
PowerPAK-SO-8
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
